今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特以便在供应短缺 、专利业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准

根据英特尔的英特描述，包括一个封装基板、专利更具可扩展性的技术处理 
。容量也更大
，目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构
 ，英特被认为是专利HBM4的替代方案，XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，

从目标定位、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，XBM采用了后段晶体管设计，HBC提供了更快、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，预计2030年前后实现商业化。能够带来更高的带宽
。但是也存在带宽不足的问题 。封装尺寸与HBM 4保持一致。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，包括MoP
，以及一个堆叠的存储芯片。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，将计算与高速内存带宽结合
，一个可选的基础芯片、相较于HBM，性能指标和商业化时间表来看 ，不过现在部分产品改用了LPDDR
，不过尚未进入商业化阶段 。以及功率等方面取得平衡。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，成本相比HBM4会更低。

虽然LPDDR更高效、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，过去几年里，采用3D堆叠芯片解决方案 。后端金属互连层），价格、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，